[发明专利]高轨SAR垂直向非均匀植被冠层后向散射系数模拟方法有效

专利信息
申请号: 201611126699.1 申请日: 2016-12-09
公开(公告)号: CN106772362B 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 刘龙;李素菊;谢酬;聂娟;邵芸;杨思全;徐丰;和海霞 申请(专利权)人: 中国科学院遥感与数字地球研究所;民政部国家减灾中心
主分类号: G01S13/88 分类号: G01S13/88;G01S7/02
代理公司: 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 代理人: 于淼
地址: 100101 北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明是有关于一种高轨SAR垂直向非均匀植被冠层后向散射系数模拟方法,包括以下步骤:确定植被冠层组件的种类;确定各种类植被冠层组件体密度的垂直向分布函数;计算双矩阵算法中的薄层后向散射矩阵;计算植被冠层的后向散射系数。本发明将植被冠层组件体密度垂直向分布函数引入双矩阵算法进行后向散射系数模拟,为模拟植被冠层垂直向非均匀性对后向散射系数造成的影响研究提供了途径,尤其适用于高轨SAR观测。
搜索关键词: sar 垂直 均匀 植被 冠层后 散射 系数 模拟 方法
【主权项】:
1.一种高轨SAR垂直向非均匀植被冠层后向散射系数模拟方法,其特征在于包括以下步骤:确定植被冠层组件的种类;确定各种类植被冠层组件体密度的垂直向分布函数Nj(h);计算双矩阵算法中的薄层后向散射矩阵S与前向散射矩阵T;计算植被冠层的后向散射系数;其中,双矩阵算法中的薄层后向散射矩阵S与前向散射矩阵T的计算公式为:式中:θi为入射角;θs为散射角;为入射方位角;为散射方位角;U‑1为对角阵,元素为散射方向的余弦;P为双站散射相矩阵;h为植被冠层组件在冠层中的位置;Δz为每一薄层厚度;N为单位薄层体积内的植被冠层组件密度;n为植被冠层组件的种类个数,j表示第j类植被冠层组件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院遥感与数字地球研究所;民政部国家减灾中心,未经中国科学院遥感与数字地球研究所;民政部国家减灾中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611126699.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top