[发明专利]一种三层结构敏感层酞菁气敏传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201611122907.0 申请日: 2016-12-08
公开(公告)号: CN106706718B 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 张宪民;张润鑫;艾小薇;包涵;林佳新;仝军伟;秦高梧 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 代理人: 刘晓岚
地址: 110819 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种三层结构敏感层酞菁气敏传感器及其制备方法,属于气体传感器领域。该三层结构敏感层酞菁气敏传感器含有的结构自下而上依次为基底、底电极、介电层、敏感层和上电极,敏感层为TiO2/MPc/TiO2三明治结构。其制备方法为:1.将基底进行超声、吹干和热处理;2.用直流或交流磁控溅射将底电极蒸镀到基底上;用交流磁控溅射将介电层蒸镀到底电极上;用电子束蒸发将TiO2薄膜镀在介电层上,用有机电子束蒸发制备金属酞菁配合物薄膜,用电子束蒸发镀上TiO2薄膜;用直流或交流磁控溅射将上电极镀于敏感层上。该气敏传感器采用TiO2/MPc/TiO2三层膜结构为敏感层,在检测还原性气体时,电流增加、并且响应时间变快、检测更敏感,吸附气体能力更强。
搜索关键词: 一种 三层 结构 敏感 层酞菁气敏 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
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