[发明专利]Pd纳米线修饰电极及其制备方法和用途

摘要

本发明涉及电化学领域，具体涉及Pd纳米线修饰电极及其制备方法和用途，Pd纳米线修饰电极的制备方法包括以下步骤，①制备AAO模板，AAO模板双通后进行导电化处理；②将步骤①中的双通AAO模板贴在Pt电极表面，进行直流电沉积以使AAO模板固定于Pt电极表面；③将表面固定有AAO模板的Pt电极于溶液中浸没，取浸没后的电极冲洗得到有序的PdNAs，阴干，即得Pd纳米线修饰电极。采用本发明的Pd纳米线修饰电极检测2,4‑噻唑烷二酮的浓度时，检测灵敏度高、线性范围宽、最低检测限低，抗干扰能力强，检测精度高。

主权项

1.Pd纳米线修饰电极的用途，其特征在于：以Pd纳米线修饰电极检测2,4‑噻唑烷二酮的浓度，所述Pd纳米线修饰电极的制备方法为，包括以下步骤，①制备AAO模板，AAO模板双通后进行导电化处理；②将步骤①中的双通AAO模板贴在Pt电极表面，进行直流电沉积以使AAO模板固定于Pt电极表面；③将表面固定有AAO模板的Pt电极于溶液中浸没，取浸没后的电极冲洗得到有序的PdNAs，阴干，即得Pd纳米线修饰电极；步骤①中，AAO模板的制备方法为二次阳极化法；步骤②中，双通AAO模板用环氧树脂贴于Pt电极表面；步骤②中，沉积电解液为3.65g/L～5.65g/L的Pd(NH₃)₄Cl₂与15g/L～30g/L的NH₄Cl的混合液；步骤③中，用2M的NaOH溶液浸没固定有AAO模板的Pt电极；步骤②中，沉积电压为‑1.7V～0V；步骤②中，沉积电解液的pH为7.0～9.0；步骤③中，浸没时间为30min～50min，冲洗电极的水为二次蒸馏水。