[发明专利]一种GeBi合金薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201611095712.1 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106784064A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 廖宇龙;王鑫宇;张岱南;李颉;金立川;杨青慧;张怀武 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/0264 | 分类号： | H01L31/0264;H01L31/18;C22C28/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种GeBi合金薄膜及其制备方法，属于薄膜材料技术领域。包括P型硅衬底，以及采用分子束外延方法形成于P型硅衬底之上的厚度为150～660nm的GeBi合金薄膜。本发明通过控制锗源、铋源的温度和生长时间，制备得到了铋含量高达32.8％的GeBi合金薄膜，远远超过了GeBi合金的最大固溶率，有效提升了薄膜的导电性能；本发明制备得到的GeBi合金薄膜的应用波长范围可完全覆盖C波段和L波段，且截止波长超过2.3μm，可广泛应用于红外光电探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gebi 合金 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GeBi合金薄膜，包括P型硅衬底，以及采用分子束外延方法形成于P型硅衬底之上的GeBi合金薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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