[发明专利]螺旋位错驱动生长螺旋型层状硒化锡纳米片的制备方法有效
| 申请号： | 201611062238.2 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN106744727B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 刘金养;黄青青;徐杨阳;钱永强;林丽梅;黄志高;赖发春 | 申请（专利权）人： | 福建师范大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人： | 张耕祥 |
| 地址： | 350007 福建省福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种螺旋位错驱动生长螺旋型层状硒化锡纳米片的制备方法，利用溶剂法的技术路线来制备螺旋型层状硒化锡纳米片，通过控制前驱液的浓度来控制硒化锡纳米片以螺旋位错驱动生长，该方法操作简单、成本低，所制得的螺旋型层状硒化锡纳米片具有原子级厚度的螺旋周期性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米片 硒化 螺旋型 螺旋位错 制备 驱动 生长 螺旋周期性 技术路线 前驱液 溶剂法 原子级 | ||
【主权项】：
1.一种螺旋位错驱动生长螺旋型层状硒化锡纳米片的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤：1）在室温条件下，配置浓度为0.4～1.0mmol/L的氯化亚锡、浓度为0.4～1.0mmol/L的二氧化硒和浓度为160～400g/L的聚乙烯吡咯烷酮的苯甲醇溶液，并混合均匀；2）将混合均匀后的溶液转移至三颈圆底烧瓶中进行密封和搅拌，并缓慢通入保护气体；3）在保护气体氛围中，将溶液加热至190～210℃，并恒温保持12～18h；4）将溶液自然冷却至室温后，在900～1100rpm的转速下进行离心8～12min，所得离心产物用无水乙醇进行洗涤过滤，并保存在无水乙醇溶液中，即制得螺旋位错驱动生长螺旋型层状硒化锡纳米片，所述的螺旋位错驱动生长螺旋型层状硒化锡纳米片的螺旋体由一个以上相互连接的矩形硒化锡纳米片组成，所述相互连接的矩形硒化锡纳米片面积依序递减。
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