[发明专利]非晶硅太阳能电池生产方法有效
申请号: | 201611059852.3 | 申请日: | 2016-11-28 |
公开(公告)号: | CN106449896B | 公开(公告)日: | 2017-12-12 |
发明(设计)人: | 黄俊翰;龚利平 | 申请(专利权)人: | 蓬安金石光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/0224;H01L31/075 |
代理公司: | 南充聚力三新专利代理有限责任公司51207 | 代理人: | 许祥述 |
地址: | 637800 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种非晶硅太阳能电池生产方法,其特征在于按下列步骤,(1)红激光刻膜,(2)装片预热,(3)非晶硅的沉积,(4)绿激光切割,(5)印刷、固化,(6)切割,(7)检测。本发明去掉传统工艺中印刷耐酸油墨和剥墨显影工序,缩减了生产时间,本发明通过生产工艺改进,使PIO层中的P层加厚,凹凸面增大增多,P层的放电时间增加2‑4分钟,温度降15±5℃左右,碳浆里面加银浆,这样不但电流上去了,其附着力比先前更好,生产出来的产品性能稳定,附着力提升10‑16%、电阻下降2‑6%,电流增加4‑11%。 | ||
搜索关键词: | 非晶硅 太阳能电池 生产 方法 | ||
【主权项】:
一种非晶硅太阳能电池生产方法,其特征在于:按下列步骤(1)红激光刻膜:导电玻璃即ITO导电片清洗后用波长 635‑671nm激光将导电玻璃刻划成互相独立部分,线条宽度为50‑100um,线速500‑700mm/s,并进行清洗;(2)装片预热:将刻划好的ITO导电片与沉积夹具装配后推入烘炉,160‑175℃预热2小时;(3)非晶硅的沉积:将预热好的ITO导电片移入沉积炉中进行PIN层放电,沉积p层非晶硅工艺条件:使用B2H6、SiH4、CH4、Ar气体,沉积温度180~210℃,功率密度0.18~0.40W/ cm 2,硅烷与甲烷流量比为10:1~1.35,沉积压力为75~88Pa,放电时间500s;I层非晶硅层工艺条件:使用SiH4、H2气体,沉积温度180~210℃,功率密度0.18W/cm2,沉积压力为70~85Pa,放电时间3000s;N层非晶硅工艺条件:使用PH3、SiH4、Ar气体,沉积温度180~210℃,功率密度0.18~0.40W/cm2,沉积压力为80~100Pa,放电时间240s ;射频放电功率参数为12‑14W,冷却后卸片;(4)绿激光切割,用波长420‑500nm的激光对沉积好非晶硅膜的导电片进行切割;(5)印刷、固化,分别通过制版印刷并固化,背电极所用材料为碳银浆,其固化温度130℃±15℃、固化时间40m(分钟);背漆所用材料为防焊油墨,其固化温度115℃±10℃、固化时间30m;字符所用材料为油墨,其固化温度100℃±15℃、固化时间20m;印刷铜浆固化温度150℃±15℃、固化时间45m,所说的碳银浆即碳浆中加入4‑10%重量比的银浆,混匀后静置30分钟使用;(6)切割:按电池的规格参数尺寸±0.2mm进行多刀切割,切割完毕进行裂片;(7)检测:根据产品型号及客户要求,在光照度200Lux±5、温度25℃下分别对产品的空载及负载情况下的电流、电压进行检测、分档,最后包装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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