[发明专利]一种利用UV实现晶圆与玻璃分离的方法有效
| 申请号： | 201611051648.7 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106409732B | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 李昭强 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 任益;邢黎华 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用UV实现晶圆与玻璃分离的方法，具体包括以下步骤：在玻璃表面设置保护层；利用键合胶层实现玻璃与晶圆的临时键合并完成晶圆背面工艺；去除玻璃表面的耐高温保护膜及高反射膜；利用UV解胶机实现玻璃与晶圆的分离。本发明用于实现晶圆与玻璃的分离，利用365nm常规UV光进行键合胶层的处理，从而实现拆键合，且分离过程无良率损失，大幅提高了产出效率，降低了生产成本，可适用于批量生产过程中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 uv 实现 玻璃 分离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用UV实现晶圆与玻璃分离的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：A.在玻璃表面沉积一层高反射膜，并在高反射膜上贴附一层对玻璃表面形成保护作用的耐高温保护膜；B.利用键合胶层实现玻璃与晶圆的临时键合，并完成晶圆背面工艺；所述键合胶层为三层结构，三层结构的键合胶层自下而上依次为释放层、键合层和保护层；C.去除玻璃表面的耐高温保护膜及高反射膜；D.利用UV解胶机实现玻璃与晶圆的分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
