[发明专利]谐振式硅微传感器下膜片的加工方法

摘要

本发明谐振式硅微传感器下膜片的加工方法涉及传感器领域，具体涉及谐振式硅微传感器下膜片的加工方法，包括以下步骤选取双面抛光的N型硅晶片，电阻率为0.1‑1Q·cm，厚度为2mm，热氧化生长一层1um厚的SiO2，然后利用低压化学气相淀积或者等离子增强化学气相淀积在单晶硅片的双面淀积一层1um厚的Si3N4薄膜；在单晶硅片背面的氮化硅薄膜上涂覆一层光刻胶，利用光刻工艺生成图形，开出腐蚀掩膜窗口，然后，在温度为85℃、含30％的KOH水溶液当中，进行单晶硅各向异性预腐蚀，腐蚀时间为12小时，然后换用腐蚀速率较低的S型EDP溶液，温度为115℃以下，进行各向异性腐蚀，膜片腐蚀到所需的厚度即可停止；本发明兼容性好，且加工效率高，有利于提高传感器的可靠性，降低生产成本，可批量生产。

主权项

一种谐振式硅微传感器下膜片的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，选取双面抛光的N型硅晶片，电阻率为0.1‑1Q·cm，厚度为2mm，热氧化生长一层1um厚的SiO2，然后利用低压化学气相淀积或者等离子增强化学气相淀积在单晶硅片的双面淀积一层1um厚的Si3N4薄膜；第二步，在单晶硅片背面的氮化硅薄膜上涂覆一层光刻胶，利用光刻工艺生成图形，开出腐蚀掩膜窗口，然后，在温度为85℃、含30％的KOH水溶液当中，进行单晶硅各向异性预腐蚀，腐蚀时间为12小时，然后换用腐蚀速率较低的S型EDP溶液，温度为115℃以下，进行各向异性腐蚀，膜片腐蚀到所需的厚度即可停止；第三步，在单晶硅衬底正面的Si3N4薄膜上面涂覆一层光刻胶，利用光刻工艺生成图形，开出腐蚀掩膜窗口，进行反应离子腐蚀，腐蚀出Si3N4和SiO2层之后，继续往下腐蚀单晶硅衬底，直到腐蚀出边长为1.8mm，厚度达2um的浅坑；第四步，利用BHF酸溶液除去SiO2薄膜层和光刻胶，然后利用反应离子腐蚀将Si3N4薄膜层去除，然后，单晶硅村底进行化学机械抛光。