[发明专利]一种合成碘化铜锌三元宽带隙化合物半导体薄膜材料的化学方法有效
| 申请号： | 201611039072.2 | 申请日： | 2016-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN106449367B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 雷岩;谷龙艳;贾祖孝;路凯;张磊磊;铁伟伟;郑直 | 申请（专利权）人： | 许昌学院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 乔宇 |
| 地址： | 461000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于材料化学技术领域，具体涉及一种合成碘化铜锌三元宽带隙化合物半导体薄膜材料的化学方法。该方法为：将铜锌合金薄膜放置到碘蒸汽环境中45～80℃进行铜锌合金的共氧化反应，反应时间3‑8h，反应一定时间后即可在基底表面原位制备出Cu2ZnI4薄膜，即碘化铜锌半导体薄膜材料。这种制备方法不需要使用有机溶剂参与反应或者反应介质；晶体结晶好；所得产物不需要复杂处理就可直接使用。操作简单、反应迅速、绿色环保，能耗低，使用原料成本低廉，重现性好。另外，该方法在基底表面直接成膜，更加有利于该种材料在光电转换器件中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合成 碘化 三元 宽带 化合物 半导体 薄膜 材料 化学 方法 | ||
【主权项】：
1.一种合成碘化铜锌宽带隙半导体薄膜材料的化学方法，其特征在于：将铜锌合金薄膜放置到碘蒸汽环境中45~80℃进行铜锌合金的共氧化反应，反应时间3‑8h，反应一定时间后即可在基底表面原位制备出Cu2ZnI4薄膜，即碘化铜锌半导体薄膜材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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