[发明专利]一种三维光子晶体-等离激元模式增强荧光纳米结构及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201611037525.8 申请日: 2016-11-23
公开(公告)号: CN106770083B 公开(公告)日: 2019-08-20
发明(设计)人: 洪炜;陈国健;陈旭东 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: G01N21/64 分类号: G01N21/64;C09K11/02;B82Y40/00
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 陈卫
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种三维光子晶体‑等离激元模式增强荧光纳米结构及其制备方法和应用。所述三维光子晶体‑等离激元模式增强荧光纳米结构包括三维光子晶体和岛状纳米金属,岛状纳米金属分散在三维光子晶体最表层的球状结构上方,岛状纳米金属颗粒的平均尺寸小于三维光子晶体最表层的球状结构的平均尺寸。具体制备方法是首先利用垂直沉降法将单分散微球自组装成三维光子晶体,然后对其表面进行疏水化处理,最后再沉积一层10~40纳米厚的金属层。本发明制备方法简单,重复性强,适用于多种材料,尤其是低成本的贱金属,制备得到的纳米结构有显著的荧光增强效果,可广泛应用于荧光检测、荧光成像、太阳能电池、发光器件等领域,具有推广应用前景。
搜索关键词: 三维光子晶体 等离激元 模式增强 荧光纳米 岛状 制备 制备方法和应用 纳米金属 球状结构 最表层 纳米金属颗粒 单分散微球 疏水化处理 太阳能电池 发光器件 纳米结构 荧光成像 荧光检测 荧光增强 沉降法 低成本 贱金属 金属层 再沉积 自组装 垂直 应用
【主权项】:
1.一种三维光子晶体‑等离激元模式增强荧光纳米结构,其特征在于,包括三维光子晶体和岛状纳米金属;所述岛状纳米金属位于三维光子晶体的上表面,即岛状纳米金属分散在三维光子晶体最表层的球状结构上方,岛状纳米金属颗粒的平均尺寸小于三维光子晶体最表层的球状结构的平均尺寸;所述金属为铝、镍、铜、金、银、铂中的一种或几种。
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