[发明专利]一种膜边距测量方法及测量装置有效
| 申请号： | 201611031891.2 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106773155B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 陈曦;袁剑峰;周贺 | 申请（专利权）人： | 福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 胡萌 |
| 地址： | 350300 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种膜边距测量方法及测量装置，涉及液晶显示技术领域，可测量保护膜层的膜边到基板边缘的距离，甄别出膜边距过大的基板。其中所述方法包括：制备包括衬底基板、测试图形和保护膜层的待测基板；测试图形外边缘与衬底基板的边缘对齐，保护膜层与测试图形存在重合，或者边缘与测试图形内边缘对齐；沿测试路径用测试光线扫描待测基板，接收被反射的测试光线，获取各点对应的光谱，测试路径经测试图形，一个端点位于测试图形所在的基板边上；保护膜层对测试光线的吸收程度高于测试图形对测试光线的吸收程度；确定出现吸收峰的光谱对应的点，该点到测试图形所在的基板边的垂直距离为膜边距。上述测量方法用于甄别出膜边距过大的基板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 膜边距 测量方法 测量 装置 | ||
【主权项】：
1.一种膜边距测量方法，所述膜边距测量方法应用于基板的成膜工艺中，其特征在于，所述膜边距测量方法包括：步骤S1：制备待测基板，所述待测基板包括衬底基板，及形成于所述衬底基板上的测试图形和保护膜层；所述测试图形位于所述衬底基板的边缘处，且所述测试图形的外边缘与所述衬底基板的边缘对齐；所述保护膜层与所述测试图形存在重合，或者所述保护膜层的边缘与所述测试图形的内边缘对齐；其中，所述测试图形的外边缘相对于内边缘靠近所述测试图形所在的基板边；步骤S2：沿测试路径利用测试光线对所述待测基板进行扫描，扫描过程中，接收被所述待测基板反射的测试光线，获取所述测试路径上各位置点所对应的光谱；其中，所述测试路径的一个端点位于所述测试图形所在的基板边上，且所述测试路径经过所述测试图形；所述保护膜层对所述测试光线的吸收程度高于所述测试图形对所述测试光线的吸收程度；步骤S3：根据各位置点所对应的光谱，确定出现所述测试光线的吸收峰的光谱对应的位置点，该位置点到所述测试图形所在的基板边的垂直距离即为所述保护膜层的膜边与所述测试图形所在的基板边之间的膜边距。
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