[发明专利]一种旋涂硼酸盐扩散层的太阳能电池及其制作工艺在审
申请号: | 201611030920.3 | 申请日: | 2016-11-22 |
公开(公告)号: | CN106449787A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 李恒亮;张洪宝;朱琛 | 申请(专利权)人: | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人: | 任立 |
地址: | 214203 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种旋涂硼酸盐扩散层的太阳能电池,包括N型硅衬底,N型硅衬底的表面场自下而上依次铺设有B型扩散层及绝缘层,其中,B型扩散层的材质为硼酸盐,绝缘层的材质为SiNx层膜,绝缘层的上表面设置有P型金属电极;本发明还设计了一种旋涂硼酸盐扩散层的太阳能电池的制作工艺;本发明所设计的旋涂硼酸盐扩散层的太阳能电池具有扩散温度低、时间短、工艺简单和环境友好等优点,因此,这种扩散工艺在制备N型太阳能电池的发射极方面具有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 硼酸盐 扩散 太阳能电池 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】:
一种旋涂硼酸盐扩散层的太阳能电池,其特征在于,包括N型硅衬底(4),所述N型硅衬底(4)的表面场自下而上依次铺设有B型扩散层(3)及绝缘层(2),其中,所述B型扩散层(3)的材质为硼酸盐,所述绝缘层(2)的材质为SiNx层膜,所述绝缘层(2)的上表面设置有P型金属电极(1);所述N型硅衬底(4)的背表面场设置有n型金属电极(5)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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