[发明专利]阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201611022079.3 | 申请日: | 2016-11-16 |
公开(公告)号: | CN106449662B | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 国春朋;邹恭华;郭星灵 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种阵列基板,包括栅极层、第一金属层及第二金属层。所述栅极层包括栅极信号线,所述第一金属层包括多段第一金属段,设置所述第一金属段与所述栅极信号线并联。所述第二金属层包括多段第二金属段,设置所述第二金属段与所述栅极信号线并联,所述第一金属段、所述第二金属段和所述栅极信号线在阵列基板厚度方向上的投影重叠。本发明还提供了一种显示装置。本发明通过对栅极信号线并联与之平行的第一金属段和第二金属段来减少栅极信号线的整体电阻,从而减少因栅极信号线整体电阻不均匀造成的RC延迟,改善了栅极信号线由于RC延迟造成的显示装置画面闪烁不均匀问题。 | ||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括层叠设置的栅极层、第一金属层及位于所述栅极层和所述第一金属层之间的第一绝缘层,所述第一绝缘层用于使所述栅极层和所述第一金属层绝缘,所述栅极层包括栅极信号线,所述第一金属层包括第一金属线,所述栅极信号线与所述第一金属线在所述阵列基板厚度方向上的投影相交,所述第一金属层还包括多段第一金属段,每段所述第一金属段位于相邻的两条所述第一金属线之间,且所述第一金属段的两端与所述第一金属线形成断路,所述第一金属段的两端与所述栅极信号线电连接,所述第一金属段与所述栅极信号线在所述阵列基板厚度方向上的投影相重合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611022079.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的