[发明专利]一种氟代硼铍酸钾非线性光学晶体的水热生长制备方法

摘要

一种氟代硼铍酸钾非线性光学晶体的水热生长制备方法，其制备步骤如下：将钾源材料、铍源材料和硼源材料按照摩尔比K:Be:B＝1～6:1～4:1～5的比例混合，放入水热釜，加入矿化剂水溶液，使钾源材料、铍源材料和硼源材料的混合原料溶于矿化剂水溶液中，高温高压水热条件下保持7‑15天，之后以1‑10℃/小时的降温速率降至室温，过程中实现氟代硼铍酸钾的自发成核结晶生长得到氟代硼铍酸钾非线性光学晶体；矿化剂溶液为碱金属的氢氧化物、碱金属的卤化物、铵的氢氧化物或铵的卤化物；高温为320～450℃，高压为200～1200个大气压；具有生长速度较快，成本低等优点；所得KBe2BO3F2非线性光学晶体较强的倍频输出，较高的光学质量等优点。

主权项

1.一种氟代硼铍酸钾非线性光学晶体的水热生长制备方法，其制备步骤如下：将钾源材料、铍源材料和硼源材料按照摩尔比K:Be:B=1～6:1～4:1～5的比例混合，利用矿化剂溶液为溶介将混合原料溶于矿化剂溶液中，在高温高压的水热条件下保持7‑15天，之后以1‑10℃/小时的降温速率降温至室温，过程中实现氟代硼铍酸钾的自发成核结晶生长得到氟代硼铍酸钾非线性光学晶体；所述的矿化剂溶液为NH4OH或铵的卤化物；所述高温为320℃～450℃，所述高压为200～1200个大气压；所述的钾源材料为氧化钾、硝酸钾或氢氧化钾；所述的硼源材料为氟化硼或氧化硼；所述的铍源材料为氟化铍、氧化铍或氟铍酸钾。