[发明专利]一种三轴磁通门传感器有效
| 申请号： | 201611005079.2 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN106569154B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 雷冲;周勇 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G01R33/05 | 分类号： | G01R33/05 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅立方体‑玻璃键合的微机电系统三轴磁通门传感器，涉及微机电系统领域，包括一个1立方厘米硅立方基座、三个微机电系统单轴磁通门传感器芯片；其中微机电系统单轴磁通门传感器芯片包含玻璃衬底、激励线圈、检测线圈、磁芯、电极和聚酰亚胺薄膜。三个微机电系统单轴磁通门传感器芯片通过硅‑玻璃键合沿正交的三个方向分别精确定位固定于硅立方基座共顶点正交的三个平面上。本发明解决了现有三轴磁通门传感器体积大、重量高、功耗大的问题，采用硅立方体‑玻璃键合的微机电系统三轴磁通门传感器利用微机电系统单轴磁通门传感器芯片和硅立方基座的键合，有效缩小了高精度三轴磁通门传感器的体积。 | ||
| 搜索关键词： | 微机电系统 三轴磁通门传感器 磁通门传感器 单轴 玻璃键合 芯片 正交的 微机电系统领域 聚酰亚胺薄膜 定位固定 激励线圈 检测线圈 立方厘米 电极 共顶点 衬底 磁芯 功耗 键合 玻璃 | ||
【主权项】：
1.一种三轴磁通门传感器，其特征在于，包括硅立方基座和三个微机电系统单轴磁通门传感器芯片，所述三个微机电系统单轴磁通门传感器芯片分别位于所述硅立方基座的共顶点正交的三个平面上，通过硅‑玻璃键合技术将所述微机电系统单轴磁通门传感器芯片键合到所述硅立方基座表面并精确定位固定，所述微机电系统单轴磁通门传感器芯片包含玻璃衬底，所述玻璃衬底用于键合到所述硅立方基座的表面；所述三个微机电系统单轴磁通门传感器芯片的磁敏感方向分别沿正交的三个方向探测磁场的x、y、z三个分量值。
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