[发明专利]一种超低剩余反射率ZnS基底长波减反射薄膜有效
申请号: | 201611000421.X | 申请日: | 2016-11-14 |
公开(公告)号: | CN106443841B | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 刘华松;杨霄;孙鹏;冷健;季一勤 | 申请(专利权)人: | 天津津航技术物理研究所 |
主分类号: | G02B1/115 | 分类号: | G02B1/115 |
代理公司: | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人: | 刘东升 |
地址: | 300308 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种超低剩余反射率ZnS基底长波减反射薄膜,其主要特征是:通过使用锗、硫化锌和氟化钇三种薄膜材料组合,将膜层总物理厚度控制在2um左右;高应力的氟化钇膜层共两层,最大层厚度小于0.4um。通过镀制该减反射薄膜可将硫化锌基底在7.5‑9.7um波段范围内最大剩余反射率降至0.5%以下,平均反射率降至0.1%以下。该膜层适用于各种硫化锌基底的表面减反射处理,可用各种热蒸发的沉积方式制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 剩余 反射率 zns 基底 长波 反射 薄膜 | ||
【主权项】:
1.一种超低剩余反射率ZnS基底长波减反射薄膜,其特征在于,所述减反射薄膜结构为:Sub/x1H x2L x3H x4M x5L x6M/Air其中,基底Sub为ZnS,H、M和L分别代表高折射率、中折射率和低折射率材料,x1~x6分别代表每层膜的光学厚度系数,单位光学厚度为λ0/4,λ0为参考波长,其波长范围为7.5‑9.7um。
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