[发明专利]一种超低剩余反射率ZnS基底长波减反射薄膜有效
| 申请号： | 201611000421.X | 申请日： | 2016-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN106443841B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 刘华松;杨霄;孙鹏;冷健;季一勤 | 申请（专利权）人： | 天津津航技术物理研究所 |
| 主分类号： | G02B1/115 | 分类号： | G02B1/115 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人： | 刘东升 |
| 地址： | 300308 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 剩余 反射率 zns 基底 长波 反射 薄膜 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津津航技术物理研究所，未经天津津航技术物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611000421.X/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于紫外固化的透紫外隔热膜
- 下一篇：硬涂膜和具有该硬涂膜的柔性显示器
