[发明专利]太阳能电池减反射膜及其制备方法及太阳能电池片在审

专利信息
申请号: 201610984015.5 申请日: 2016-11-08
公开(公告)号: CN106449784A 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 曹江伟;张伟;韦新松;曹洋洋;张锐;鲁军;刘辉 申请(专利权)人: 徐州鑫宇光伏科技有限公司;协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技(苏州)有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/042;H01L31/18
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 代理人: 唐清凯
地址: 221000 江苏省徐州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种太阳能电池减反射膜,其包括依次形成于硅基衬底上的第一层、第二层、第三层、以及第四层;第一层为二氧化硅层;第二层、第三层及第四层均为硅的氮化物层;第二层、第三层以及第四层的折射率递减;第一层、第二层、第三层以及第四层的厚度递增。上述太阳能电池减反射膜,包括四层结构,其底层为二氧化硅层,可以有效起到钝化效果,且结合其上的三层硅的氮化物层,且折射率逐层递减而厚度逐层递增,有效优化了太阳能电池减反射膜的性能,从而降低了光的反射,使太阳能电池的光电转换效率提高。另外,本发明的太阳能电池减反射膜还可以提高开路电压。本发明还提供了一种太阳能电池减发射膜的制备方法及太阳能电池片。
搜索关键词: 太阳能电池 减反射膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种太阳能电池减反射膜,其特征在于,包括:第一层,形成于硅基衬底上;所述第一层为二氧化硅层;第二层,形成于所述第一层上;所述第二层为硅的氮化物层;第三层,形成于所述第二层上;所述第三层为硅的氮化物层;以及第四层,形成于所述第三层上;所述第四层为硅的氮化物层;所述第二层、所述第三层以及所述第四层的折射率递减;所述第一层、所述第二层、所述第三层以及所述第四层的厚度递增。
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