[发明专利]太阳能电池减反射膜及其制备方法及太阳能电池片在审
申请号: | 201610984015.5 | 申请日: | 2016-11-08 |
公开(公告)号: | CN106449784A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 曹江伟;张伟;韦新松;曹洋洋;张锐;鲁军;刘辉 | 申请(专利权)人: | 徐州鑫宇光伏科技有限公司;协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 221000 江苏省徐州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种太阳能电池减反射膜,其包括依次形成于硅基衬底上的第一层、第二层、第三层、以及第四层;第一层为二氧化硅层;第二层、第三层及第四层均为硅的氮化物层;第二层、第三层以及第四层的折射率递减;第一层、第二层、第三层以及第四层的厚度递增。上述太阳能电池减反射膜,包括四层结构,其底层为二氧化硅层,可以有效起到钝化效果,且结合其上的三层硅的氮化物层,且折射率逐层递减而厚度逐层递增,有效优化了太阳能电池减反射膜的性能,从而降低了光的反射,使太阳能电池的光电转换效率提高。另外,本发明的太阳能电池减反射膜还可以提高开路电压。本发明还提供了一种太阳能电池减发射膜的制备方法及太阳能电池片。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 减反射膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池减反射膜,其特征在于,包括:第一层,形成于硅基衬底上;所述第一层为二氧化硅层;第二层,形成于所述第一层上;所述第二层为硅的氮化物层;第三层,形成于所述第二层上;所述第三层为硅的氮化物层;以及第四层,形成于所述第三层上;所述第四层为硅的氮化物层;所述第二层、所述第三层以及所述第四层的折射率递减;所述第一层、所述第二层、所述第三层以及所述第四层的厚度递增。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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