[发明专利]一种磁控可调频远红外光开关及其实现方法有效
| 申请号： | 201610968264.5 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN106405972B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 宋戈;许静平 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | G02F1/29 | 分类号： | G02F1/29 |
| 代理公司： | 上海科律专利代理事务所(特殊普通合伙) 31290 | 代理人： | 叶凤 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁控可调频远红外光开关，所述光开关包括依次设置的铁酸镁基特异材料和介质基底。所述铁酸镁基特异材料由铁酸镁薄膜1与氧化铝薄膜2在x轴方向交替重叠构成一维周期性层状结构。所述铁酸镁薄膜1与氧化铝薄膜2在x轴方向的厚度均小于选定的用以入射所述光开关的电磁波的波长的1/20。所述铁酸镁薄膜1与氧化铝薄膜2在y轴和z轴方向的长度均大于所述波长的10倍。由此可以得到铁酸镁基特异材料。本发明提供的结构可以在外磁场调控下，控制铁酸镁薄膜的磁化率，实现铁酸镁基特异材料从普通非磁性介质到磁性双曲介质的转变，从而控制入射TE偏振波的透射率，实现光开关。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控可 调频 红外光 开关 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁控可调频远红外光开关，其特征在于，该光开关包括依次设置的铁酸镁基特异材料和介质基底；所述的铁酸镁基特异材料，由铁酸镁薄层和氧化铝薄层在x轴方向交替重叠构成一维周期性层状结构；所述铁酸镁薄膜与氧化铝薄膜在x轴方向的厚度均小于选定的用以入射所述光开关的电磁波的波长的1/20；所述铁酸镁薄膜与氧化铝薄膜在y轴和z轴方向的长度均大于所述波长的10倍。
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