[发明专利]一种石墨烯/铜锌锡硫薄膜太阳电池及其制造方法在审
申请号: | 201610962210.8 | 申请日: | 2016-10-28 |
公开(公告)号: | CN106449849A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 林时胜;吴志乾 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/074 | 分类号: | H01L31/074;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人: | 万尾甜;韩介梅 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开一种石墨烯/铜锌锡硫(CZTS)薄膜太阳电池及其制造方法,该石墨烯/铜锌锡硫薄膜太阳电池自下而上依次有透明衬底、石墨烯层、铜锌锡硫层和背面电极,其中太阳光从透明衬底一侧入射。本发明的石墨烯/铜锌锡硫薄膜太阳电池直接在石墨烯上生长铜锌锡硫材料,由于石墨烯表面呈原子级平整,与铜锌锡硫可形成界面质量优异的异质结,因此可省去正面电极层与缓冲层而将电池结构减少至四层;且石墨烯导电性强透光性好,取代正面栅电极可减少电池透光面积损失;此外,本发明的石墨烯/铜锌锡硫薄膜太阳电池原材料成本低廉且无毒无害,电池结构及工艺简单,适于商业化大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 铜锌锡硫 薄膜 太阳电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯/铜锌锡硫薄膜太阳电池,其特征在于,自下而上依次有太阳光入射侧的透明衬底、石墨烯层、光电转换层和背面电极层,所述的光电转换层为铜锌锡硫薄膜层。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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