[发明专利]一种硅基APD的集成电路

摘要

本发明公开了一种硅基APD的集成电路，属于光电集成技术领域，它包括衬底、硅基雪崩光电二极管、光伏二极管阵列、双极型NPN三极管和其它由电阻电容构成的管理电路，在所述的衬底上设有数组V型槽，所述的硅基雪崩光电二极管、光伏二极管阵列和双极型NPN三极管分别设在一个V型槽内、并与管理电路集成于同一衬底上。该集成电路结合了传统的V型槽工艺和双极工艺，电路结构简单，可靠性高，串扰小，功耗低。

主权项

1.一种硅基APD的集成电路，其特征在于：它包括衬底(1)、硅基雪崩光电二极管(2)、光伏二极管阵列(3)、双极型NPN三极管(4)和其它由电阻电容构成的管理电路(5)，在所述的衬底(1)上设有数组V型槽(100)，所述的硅基雪崩光电二极管(2)、光伏二极管阵列(3)和双极型NPN三极管(4)分别设在一个V型槽(100)内、并与管理电路(5)集成于同一衬底(1)上；设有所述硅基雪崩光电二极管(2)的V型槽(100)中有低掺杂P层(200)、高掺杂P+层(201)、高掺杂N+层(202)和低掺杂N‑外延层(203)；设有所述光伏二极管阵列(3)的V型槽(100)内有低掺杂P层(300)、高掺杂P+层(301)、高掺杂N+层(302)、低掺杂N‑外延层(303)和较高掺杂P阱(304)；设有所述NPN三极管(4)的V型槽100中有低掺杂P层(400)、高掺杂P+层(401)、高掺杂N+层(402)、低掺杂N‑外延层(403)和较高掺杂P层(404)，其中，所述的高掺杂N+层(402)为两组。