[发明专利]具有温度跟随特性的相变存储器读电路有效
| 申请号： | 201610935023.0 | 申请日： | 2016-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN106601290B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 张琪;陈后鹏;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有温度跟随特性的相变存储器读电路，包括：参考相变存储阵列、相变存储阵列、参考相变存储单元地址寄存模块、参考电流产生模块、钳位电压产生模块及电流比较模块。本发明的相变存储器读电路通过对大规模相变存储阵列的不同位置的环境温度采样，利用高低阻态下相变单元的温度漂移系数，使所述参考电流随环境温度变化具有恰当的自调性，此种特性兼顾了相变存储阵列不同物理位置的温度差异，避免了所述参考电流值与相变单元位线电流值的混叠，提高了所述读出电路在外界环境温度改变时的正确读取。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 温度 跟随 特性 相变 存储器 电路 | ||
【主权项】：
1.一种具有温度跟随特性的相变存储器读电路，其特征在于，所述相变存储器读电路包括：参考相变存储阵列、相变存储阵列、参考相变存储单元地址寄存模块、参考电流产生模块、钳位电压产生模块及电流比较模块；所述参考相变存储阵列包括多个参考阵列，每个参考阵列包括高阻值阵列及低阻值阵列；通过对所述相变存储阵列不同位置的温度采样，利用所述参考相变存储阵列中高低阻相变单元的温度特性，提供具有温度跟随特性的参考电流；所述参考相变存储单元地址寄存模块用于控制所述参考相变存储阵列字线地址的选通；所述钳位电压产生模块用于提供所述参考相变存储阵列和相变存储阵列读操作时的钳位电压；所述参考电流产生模块用于获得具有温度跟随特性的参考电流；所述相变存储阵列用于产生相变存储单元的位线电流；所述电流比较模块用于在读操作下比较所述参考电流产生模块产生的参考电流及所述相变存储器中相变存储单元的位线电流，从而得到相变存储器的存储数据；在写操作时，每次只允许所述参考相变存储单元地址寄存模块有一个寄存器输出为1；在读操作时，每次允许所述参考相变存储单元地址寄存模块多个寄存器输出同时为1。
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