[发明专利]网栅异质结太阳能电池及其工艺在审
| 申请号： | 201610932728.7 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN106449846A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 杨瑞鹏;周永谋 | 申请（专利权）人： | 杨瑞鹏 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了网栅异质结太阳能电池及其工艺，包括太阳能电池的基座和基底，所述基座和基底之间设有带图形的基座网栅，所述基底的表面选择性沉积有与所述基座网栅形状图形大小一致的薄膜型金属网栅，其工艺步骤依次包括：使用PVD加工工艺，在基座上加工出有图形的基座网栅；在基座和基座网栅的顶部设置或印刷基底；在基底表面沉积金属网栅；解决现有技术的太阳能电池无法进一步提高透光率，减少遮光面积，无法进一步提高太阳能电池的转换效率，降低成本的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 网栅异质结 太阳能电池 及其 工艺 | ||
【主权项】：
网栅异质结太阳能电池， 包括太阳能电池的基座和基底，其特征在于：所述基座和基底之间设有带图形的基座网栅，所述基底的表面选择性沉积有与所述基座网栅形状图形大小一致的薄膜型金属网栅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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