[发明专利]用于晶圆退火的载片盘、退火装置及晶圆退火方法有效
申请号: | 201610921759.2 | 申请日: | 2016-10-21 |
公开(公告)号: | CN106340487A | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | 杨翠柏;杨光辉;方聪 | 申请(专利权)人: | 北京鼎泰芯源科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67;H01L21/324 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人: | 陈英俊,许向彤 |
地址: | 100080 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种用于晶圆退火的载片盘、退火装置及晶圆退火方法,载片盘包括基板和位于基板上的多个凸起。退火装置包括上述载片盘;加热腔,具有保温层,腔内设置有热辐射加热器。利用载片盘进行晶圆退火的方法包括将晶圆放置在载片盘的凸起上;对晶圆进行退火,在退火过程中,晶圆产生翘曲时对凸起施加作用力,凸起产生反作用力,克制晶圆的翘曲。利用退火装置进行晶圆退火的方法,包括将晶圆和载片盘放置于加热腔内;采用热辐射方式对晶圆进行加热;降温时晶圆与载片盘自发辐射逐渐降温。载片盘在晶圆退火过程中,通过晶圆自身重力对载片盘凸起的作用减缓晶圆的翘曲。退火装置采用热辐射方式加热且具有保温层,防止晶圆快速降温和升温。 | ||
搜索关键词: | 用于 退火 载片盘 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种用于晶圆退火的载片盘,用于承载晶圆,其特征在于,包括基板和位于基板上的多个凸起。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京鼎泰芯源科技发展有限公司,未经北京鼎泰芯源科技发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610921759.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于电视节目的互动方法及移动终端
- 下一篇:弹幕处理方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造