[发明专利]一种基于可见光通信的发射端专用集成电路有效

专利信息
申请号: 201610919921.7 申请日: 2016-10-21
公开(公告)号: CN106357333B 公开(公告)日: 2018-07-24
发明(设计)人: 毛陆虹;闫俊松;谢生;肖谧 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H04B10/116 分类号: H04B10/116;H04B10/50
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 杜文茹
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种基于可见光通信的发射端专用集成电路,第一MOS管的栅极和漏极接电源,第一MOS管的源极、第二MOS管的栅极和漏极和第三MOS管的栅极通过第一电容接信号,第二MOS管源极接地,第三MOS管的源极通过第二电阻接地还通过第三电阻和第二电容的串联接地,漏极接第四MOS管的栅极还通过第一电阻接电源,第四MOS管的源极通过第五电阻接地还通过第六电阻和第三电容的串联接地,漏极接第五MOS管的栅极还通过第四电阻接电源,第五MOS管的源极通过第七电阻接地还接第六MOS管的栅极,漏极接第一电源,第六MOS管的源极通过第八电阻接地,漏极接LED的负极,LED的正极通过第九电阻接第二电源。本发明实现了LED调制带宽的展宽。
搜索关键词: 一种 基于 可见 光通信 发射 专用 集成电路
【主权项】:
1.一种基于可见光通信的发射端专用集成电路,其特征在于,是由预加重电路和驱动电路两部分构成,具体包括有第一至第六MOS管(M1、M2、M3、M4、M5、M6),其中,第一MOS管(M1)的栅极和漏极连接第一外部电源(VDD1),第一MOS管(M1)的源极、第二MOS管(M2)的栅极和漏极以及第三MOS管(M3)的栅极共同通过第一电容(C1)连接外部脉冲信号(IN),所述第二MOS管(M2)源极接地,所述第三MOS管(M3)的源极分别通过第二电阻(R2)接地,以及通过第三电阻(R3)和第二电容(C2)的串联接地,所述第三MOS管(M3)的漏极分别连接第四MOS管(M4)的栅极,以及通过第一电阻(R1)连接第一外部电源(VDD1),所述第四MOS管(M4)的源极分别通过第五电阻(R5)接地,以及通过第六电阻(R6)和第三电容(C3)的串联接地,所述第四MOS管(M4)的漏极分别连接第五MOS管(M5)的栅极,以及通过第四电阻(R4)连接第一外部电源(VDD1),所述第五MOS管(M5)的源极分别通过第七电阻(R7)接地,以及连接第六MOS管(M6)的栅极,所述第五MOS管(M5)的漏极连接第一外部电源(VDD1),所述第六MOS管(M6)的源极通过第八电阻(R8)接地,所述第六MOS管(M6)的漏极连接红光LED(D)的负极,所述红光LED(D)的正极通过第九电阻连接第二外部电源(VDD2)。
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