[发明专利]一种SOI基微惯性传感器封装应力隔离方法有效
| 申请号： | 201610919522.0 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107055461B | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 苑伟政;郝永存;谢建兵;常洪龙 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 吕湘连 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SOI基微惯性传感器封装应力隔离方法，属于微机电系统领域。该方法通过一种位于基底层(3)上的应力隔离结构实现，所述应力隔离结构形式为：基底(3)为一镂空结构，其包括外围的用于固定敏感结构层(1)的框架(4)、处于芯片中心的圆柱(6)，以及连接框架(4)和圆柱(6)的弹性梁(5)；整个SOI基微惯性传感器仅通过所述圆柱(6)的底面(9)涂胶与管壳粘接。有益效果：圆柱(6)的底面(9)比芯片敏感结构层(1)面积小，因此减小了传感器的粘接面积，降低了封装应力；弹性梁(5)使由圆柱(6)传递至陀螺结构层(1)的应力进一步降低，起到应力隔离作用，同时该应力隔离结构对芯片敏感结构不产生影响，降低芯片敏感结构设计难度。 | ||
| 搜索关键词： | 敏感结构 应力隔离 微惯性传感器 封装应力 芯片 弹性梁 底面 粘接 微机电系统领域 隔离 结构实现 连接框架 陀螺结构 芯片中心 镂空结构 基底层 传感器 管壳 基底 减小 涂胶 外围 传递 | ||
【主权项】：
1.一种SOI基微惯性传感器封装应力隔离方法，所述的传感器包括三层结构：敏感结构层(1)、电隔离层(2)和基底层(3)；其特征在于，该封装应力隔离方法通过一种位于基底层(3)上的应力隔离结构实现，所述应力隔离结构形式为：基底层(3)为一镂空结构，其包括外围的用于固定敏感结构层(1)的框架(4)、处于芯片中心的圆柱(6)，以及连接框架(4)和圆柱(6)的弹性梁(5)；整个SOI基微惯性传感器仅通过所述圆柱(6)的底面(9)涂胶与管壳粘接。
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