[发明专利]超低阻值晶片电阻器用铜镍系合金粉在审
| 申请号： | 201610913534.2 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106435259A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 谢上川;陈钢强;宋书清;高书娟 | 申请（专利权）人： | 江苏博迁新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C22C9/06 | 分类号： | C22C9/06;B22F1/00;B22F9/12;H01B1/02;H01C7/00 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙)33228 | 代理人： | 沈春红 |
| 地址： | 223800 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种超低阻值晶片电阻器用铜镍系合金粉，其特征在于：该合金粉由以下组分组成：Ni 35‑45wt％，Mn＜1wt％，Fe＜1wt％，余量为Cu。本发明的铜镍系合金粉，粒径较为均匀，平均粒径为0.3‑3μm，经过进一步筛分和高精度气相分级，可以调控粉体的粒度分布，可促进低晶片电阻器厚膜印刷制程的升级，并向薄膜蒸镀工艺的厚度靠近，从而改善超低阻值晶片电阻器电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 阻值 晶片 电阻 器用 铜镍系 合金粉 | ||
【主权项】：
一种超低阻值晶片电阻器用铜镍系合金粉，其特征在于：该合金粉由以下组分组成：Ni 35‑45wt％，Mn＜1wt％，Fe＜1wt％，余量为Cu。
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