[发明专利]一种制备石墨烯与六角氮化硼复合薄膜材料的方法在审
申请号: | 201610895790.3 | 申请日: | 2016-10-14 |
公开(公告)号: | CN107954404A | 公开(公告)日: | 2018-04-24 |
发明(设计)人: | 董国材;唐琪雯 | 申请(专利权)人: | 江南石墨烯研究院;常州碳维纳米科技有限公司 |
主分类号: | C01B21/064 | 分类号: | C01B21/064;C01B32/184 |
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地址: | 213149 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种制备石墨烯/六角氮化硼(h‑BN)复合薄膜材料的方法。首先在具有一定碳溶解能力的金属基底表面通过化学气相沉积的方法制备h‑BN/金属,然后在降温过程中通过精确控制碳在金属基底中的溶解与析出,在h‑BN和金属基底之间生长石墨烯得到h‑BN/石墨烯/金属基底。最后,通过“一步转移法”刻蚀金属基底,转移至目标基底得到h‑BN/石墨烯/目标基底复合薄膜材料。本发明的优点是,通过“一步生长转移法”合成将有效降低其缺陷和杂质,提高材料质量,并且简化制备工艺,使之更容易用于生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 石墨 六角 氮化 复合 薄膜 材料 方法 | ||
【主权项】:
一种制备六角氮化硼(h‑BN)与石墨烯复合薄膜材料的方法,其特点在于:以具有一定碳溶解能力的金属薄膜作为生长基底,以含硼和氮的气源作为前驱体,在真空和高温条件下生长得到高质量h‑BN薄膜;然后在降温过程中使溶解在金属基底中的碳原子析出,在h‑BN和金属衬底之间形成石墨烯薄膜,即通过一步生长的方法得到h‑BN/石墨烯/金属基底;最后通过一步刻蚀转移法转移至目标基底得到h‑BN/石墨烯复合薄膜材料。
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