[发明专利]一种晶体硅太阳电池光致衰减的装置在审
申请号: | 201610892600.2 | 申请日: | 2016-10-13 |
公开(公告)号: | CN106384759A | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 曾玥 | 申请(专利权)人: | 成都格瑞思文化传播有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H02S50/15 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省成都市锦江*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及一种晶体硅太阳电池光致衰减的装置,包括光衰箱体、光源、风扇和控制光源光照时间的控制装置,所述光衰箱体由上至下分为上层、中层以及下层,所述光源和所述风扇分别设置在所述上层的顶面和侧壁,上层与中层由耐高温陶瓷板隔开,中层与下层之间的基板为电池片放置板,光衰箱体的尺寸为长为0.8米,宽为0.6米,高为1米;本发明通过对光照时间和温度的控制,保证光致衰减温度及光强稳定性,使得光致衰减强度及温度符合衰减要求,通过氮气填充及散热装置,以减少晶体硅太阳电池光致衰减过程中电池不被氧化,提高了晶体硅太阳电池产品品质,可应用于晶体硅太阳电池制造中检验测试工序,以验证晶体硅太阳电池衰减程度。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳电池 衰减 装置 | ||
【主权项】:
一种晶体硅太阳电池光致衰减的装置,其特征在于:包括光衰箱体、光源、风扇和控制光源光照时间的控制装置,所述光衰箱体由上至下分为上层、中层以及下层,所述光源和所述风扇分别设置在所述上层的顶面和侧壁,上层与中层由耐高温陶瓷板隔开,中层与下层之间的基板为电池片放置板,光衰箱体的尺寸为:长为0.8米,宽为0.6米,高为1米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的