[发明专利]图像传感器有效
申请号: | 201610891753.5 | 申请日: | 2016-10-12 |
公开(公告)号: | CN106783898B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 李景镐;金昇炫;安赫;李允基;崔赫洵 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开涉及图像传感器。一种图像传感器包括半导体衬底、在衬底的第一像素区中的第一对光电转换区以及在第一对光电转换区的光电转换区之间的第一隔离结构。传感器进一步包括在衬底的邻近第一像素区的第二像素区中的第二对光电转换区、以及在第二对光电转换区的光电转换区之间且具有与第一隔离结构不同的光学性质的第二隔离结构。不同的第一颜色滤光器和第二颜色滤光器,例如绿色和红色滤光器,可以被布置在第一像素区和第二像素区中各自的像素区上。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,包括:第一导电类型的半导体衬底;布置在所述半导体衬底中且在其中限定第一像素区和第二像素区的器件分隔层;布置在所述半导体衬底中在各个所述第一像素区和第二像素区中的相应对第二导电类型的第一光电转换区和第二光电转换区;在各个所述第一像素区中布置在所述半导体衬底中在所述第一光电转换区和第二光电转换区之间的相应第一隔离结构;以及在各个所述第二像素区中布置在所述半导体衬底中在所述第一光电转换区和第二光电转换区之间的相应第二隔离结构,所述第二隔离结构在其折射率和/或形状方面不同于所述第一隔离结构,其中所述第一像素区和第二像素区沿正交的第一方向和第二方向布置成矩阵,以及其中所述第二像素区布置在所述第一像素区中所述第一方向上的相邻第一像素区之间以及在所述第一像素区中所述第二方向上的相邻第一像素区之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的