[发明专利]一种高致密度MgB2有效

专利信息
申请号: 201610885203.2 申请日: 2016-10-11
公开(公告)号: CN106336220B 公开(公告)日: 2020-09-15
发明(设计)人: 张红;李磊;赵勇 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: C04B35/58 分类号: C04B35/58;H01B12/00
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人: 周永宏;王伟
地址: 610031 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种高致密度MgB2超导体的制备方法,先将Mg粉和B粉按比例混合后压制成薄片,烧结制得MgB4块材,将MgB4置于酸溶液中浸泡以除去MgO,清洗并干燥后得高纯MgB4粉末,将MgB4粉末和B粉按比例混合压制成薄片,置入充满Mg粉的不锈钢管中,烧结制得MgB2超导体。该制备方法所制备的MgB2超导体致密度高、纯度高,可有效减少块材中的MgO,同时步骤简单,易于操作,成本低,不污染环境,实用价值高,值得在业内推广。
搜索关键词: 一种 致密 mgb base sub
【主权项】:
一种高致密度MgB2超导体的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:S1:制备高纯MgB4粉末S11:将Mg粉和B粉按摩尔比1:4均匀混合,将混合粉末压制成薄片;S12:将步骤S11中压制的薄片置入石英管中,将石英管密封后置于流通氩气的管式炉中,加热至950℃~1100℃,保温1~2h,随炉冷却至室温,制得MgB4块材;S13:将步骤S12制得的MgB4块材放置于酸溶液中,浸泡0.5~2h后,清洗并干燥,制得高纯MgB4粉末;S2:制备MgB2超导体S21:将B粉和步骤S1制得的MgB4粉末按摩尔比(1‑4x):x均匀混合,0<x≤0.125,将混合粉末压制成薄片;S22:将步骤S21中压制的薄片置入充满Mg粉的不锈钢管中,不锈钢管两端密封后置于流通氩气的管式炉中加热到650℃~750℃,保温2~10h,随炉冷却至室温,即得MgB2超导体。
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