[发明专利]一种利用MgZnO薄膜制作CIGS薄膜太阳能电池的方法在审

专利信息
申请号: 201610884016.2 申请日: 2016-10-10
公开(公告)号: CN106449875A 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 张宁;余新平;赵莉;张亚飞;陈玉峰;李俊林 申请(专利权)人: 北京四方创能光电科技有限公司;北京四方继保自动化股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/032;H01L21/324
代理公司: 北京金阙华进专利事务所(普通合伙)11224 代理人: 吴鸿维
地址: 100085 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种利用MgZnO薄膜材制作CIGS薄膜太阳能电池的方法,该方法包含:步骤1,在钠钙玻璃上制备Mo层;步骤2,在Mo层上制备CIGS层;步骤3,在CIGS上制备CdS层;步骤4,在CdS层上制备MgZnO薄膜层;步骤5,对制备好的MgZnO薄膜进行退火处理;步骤6,在MgZnO层上制备掺铝氧化锌(AZO)层,构成CIGS薄膜太阳能电池器件。本发明所述MgZnO薄膜材料是指采用磁控溅射方法制备MgZnO薄膜层作为CIGS电池的高阻层,与传统的ZnO高阻层相比,本发明可以有效地增大对蓝光的吸收,增加光谱响应范围,提高CIGS薄膜太阳能电池的开路电压,提升电池效率。
搜索关键词: 一种 利用 mgzno 薄膜 制作 cigs 太阳能电池 方法
【主权项】:
一种利用MgZnO薄膜制作CIGS薄膜太阳能电池的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤一、在钠钙玻璃基底上沉积背电极钼Mo层;步骤二、在Mo层上制备CIGS薄膜层作为光吸收层;步骤三、在CIGS上制备硫化镉CdS层;步骤四、在硫化镉CdS层上制备掺镁氧化锌层即MgZnO薄膜;步骤五、对步骤四中制备的MgZnO薄膜进行退火处理。步骤六、在MgZnO薄膜层上制备掺铝氧化锌AZO层,构成如SLG/Mo/CIGS/CdS/MgZnO/AZO的CIGS电池器件结构。
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