[发明专利]一种密舟多晶硅太阳能电池的扩散工艺有效
| 申请号： | 201610874557.7 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106449874B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 任哲;成文;刘文峰;郭进;姬常晓 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/223;H01L31/068 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008 | 代理人： | 周长清,张鲜 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种密舟多晶硅太阳能电池的扩散工艺，包括以下步骤(1)升温；在120mbar～220mbar气压下进行步骤(2)～(4)(2)氧化；(3)扩散；(4)高温推进；(5)洗气；(6)退火。该扩散工艺能显著提高密舟多晶硅太阳能电池方阻均匀性，且具有成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 太阳能电池 扩散 工艺 | ||
【主权项】：
一种密舟多晶硅太阳能电池的扩散工艺，包括以下步骤：(1)升温：将密舟承载的多晶硅片送入扩散炉中，温度升至780℃～800℃；(2)氧化：温度稳定在780℃～800℃，将管内压力抽至120mbar～220mbar，以200sccm～500sccm的速率通入氧气，以2000sccm～3000sccm的速率通入大氮，通入时间为4min～8min；(3)扩散：温度稳定在780℃～800℃，管内压力稳定在120mbar～220mbar，以150sccm～220sccm的速率通入小氮，以200sccm～500sccm的速率通入氧气，以2000sccm～3000sccm的速率通入大氮，通入时间为8min～15min；(4)高温推进：将温度升至820℃～840℃，管内压力稳定在120mbar～220mbar，以200sccm～500sccm的速率通入氧气，以2000sccm～3000sccm的速率通入大氮，通入时间为8min～15min；(5)洗气：洗气过程为：保持温度不变，将管内压力升至常压，然后再抽至300～500mbar，以2000sccm～3000sccm的速率通入大氮，通入时间为100s；以所述洗气过程为一个洗气周期进行重复洗气；(6)退火：将管内压力恢复常压，降温处理后将多晶硅片取出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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