[发明专利]三维电感器与变换器在审

专利信息
申请号: 201610861975.2 申请日: 2010-10-07
公开(公告)号: CN106847770A 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 金郑海;顾时群;布雷恩·马修·亨德森;托马斯·R·汤姆斯;刘·G·蔡-奥安;赛福拉·S·巴扎亚尼;马修·诺瓦克 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/522;H01F17/00;H01F19/04;H01L27/02
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及三维电感器与变换器。本发明揭示三维芯片上电感器、变换器及射频放大器。该射频放大器包括一对变换器及一晶体管。该变换器包括至少两个电感性耦合的电感器。该电感器包括第一金属层的多个片段(704)、第二金属层的多个片段(706)、第一电感器输入(708)、第二电感器输入(710),及多个穿硅通孔(702),该多个穿硅通孔(702)耦合该第一金属层的该多个片段与该第二金属层的该多个片段,以形成该第一电感器输入与该第二电感器输入之间的连续、非相交路径。该电感器可具有对称或非对称几何结构。该第一金属层可为该芯片的后段工艺区段中的金属层。该第二金属层可位于该芯片的重分配设计层中。
搜索关键词: 三维 电感器 变换器
【主权项】:
一种三维芯片上电感器,其包含:衬底,所述衬底具有顶部侧和底部侧,所述顶部侧与所述底部侧相对;第一金属层的多个片段,所述第一金属层在所述衬底的顶部侧之上且位于所述芯片的后段工艺区段中;第二金属层的多个片段,所述第二金属层在所述衬底的底部侧之下且位于所述芯片的重分配设计层区段中;第一电感器输入及第二电感器输入;及多个穿硅通孔,所述多个穿硅通孔从所述衬底的顶部侧延伸到所述衬底的底部侧且耦合所述第一金属层的多个片段与所述第二金属层的多个片段,以形成所述第一电感器输入与所述第二电感器输入之间的连续、非相交路径,其中,所述多个穿硅通孔交替地由所述第一金属层的多个片段和所述第二金属层的多个片段连接起来。
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