[发明专利]光掩膜版的清洗方法及去胶方法在审
| 申请号： | 201610855735.1 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107870510A | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 马志平;成立炯 | 申请（专利权）人： | 上海凸版光掩模有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/82 | 分类号： | G03F1/82 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光掩膜版的清洗方法及去胶方法，所述光掩膜版的清洗方法至少包括以下步骤1）使用硫酸及双氧水的混合液对所述光掩膜版进行清洗；2）使用氨水、双氧水及去离子水的混合溶液对所述光掩膜版进行清洗；3）使用超声波对所述光掩膜版进行清洗；4）使用热去离子水对所述光掩膜版进行清洗。本发明的光掩膜版的清洗方法可以实现对光掩膜版进行有效地清洗，能够去除所述光掩膜版表面残留的光刻胶，保证所述光掩膜版表面的清洁度，从而放宽了对去胶步骤中清洁度的要求，可以在去胶过程中避免氨水的使用。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩膜版 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种光掩膜版的清洗方法，适于对去胶处理后的光掩膜版进行清洗，其特征在于，所述光掩膜版的清洗方法至少包括以下步骤：1)使用硫酸及双氧水的混合液对所述光掩膜版进行清洗；2)使用氨水、双氧水及去离子水的混合溶液对所述光掩膜版进行清洗；3)使用超声波对所述光掩膜版进行清洗；4)使用热去离子水对所述光掩膜版进行清洗。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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