[发明专利]含硅层停止型添加剂有效
| 申请号： | 201610853254.7 | 申请日： | 2016-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN106566412B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | M·施滕德尔;M·G·格雷汉姆 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 化学机械抛光(CMP)组合物、方法和系统是用于抛光图案化半导体晶片。包含磨料和水溶性铝化合物添加剂且pH7的CMP组合物抑制CMP停止层(含硅层，如氮化硅、氧化硅或碳化硅)去除速率。CMP组合物任选地含有表面活性剂以帮助润湿表面；提供对金属管线、通道或沟槽的腐蚀抑制的腐蚀抑制剂；和用于调节CMP抛光组合物的pH的pH调节剂。 | ||
| 搜索关键词： | 含硅层 停止 添加剂 | ||
【主权项】：
一种抛光组合物，其包含：0.01重量％至20重量％的磨料，所述磨料选自高纯度胶体二氧化硅颗粒、氧化铝、二氧化铈、氧化锗、二氧化硅、二氧化钛、氧化锆、晶格中掺杂氧化铝的胶体二氧化硅、及其混合物；0.01重量％至约10重量％的水溶性铝化合物；和水；其中所述抛光组合物的pH大于7。
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