[发明专利]一种高稳定性全熔高效坩埚的喷涂及熔化工艺控制方法

摘要

本发明提供的一种高稳定性全熔高效坩埚的喷涂及熔化工艺控制方法，包括步骤一利用手工喷涂的方式喷涂在坩埚底部、步骤二利用手工或者机械喷涂的方式喷涂在坩埚侧壁、步骤三将硅料装入上述坩埚中，投入铸锭炉后抽真空、加热、熔化，待硅料全部熔化结束后降温、提升隔热笼进入长晶，步骤简单，制备方便，通过将坩埚底部与坩埚侧部分开喷涂及底部喷涂手法控制，确保了底部形核源所形成的凹凸感不被氮化硅粉所掩埋，高效成活率在99.8%以上；同时通过合理的熔化工艺控制，在确保高效形成率的基础上，粘锅裂纹率大幅降低到0.1%以内，大大降低了高效铸锭成本。

主权项

一种高稳定性全熔高效坩埚的喷涂及熔化工艺控制方法，其特征为，步骤如下：步骤（1）：将氮化硅粉、硅溶胶和去离子水混合均匀后，利用手工喷涂的方式喷涂在坩埚底部；步骤（2）：将氮化硅粉、硅溶胶和去离子水混合均匀后，利用手工或者机械喷涂的方式喷涂在坩埚侧壁；步骤（3）：将硅料装入上述坩埚中，投入铸锭炉后抽真空、加热、熔化，待硅料全部熔化结束后降温、提升隔热笼进入长晶，其中熔化阶段TC1温度控制在1540~1560℃之间，隔热笼放置在0cm位；待硅料全部熔化结束后进入下一步，保温 30~60min，然后在10‑30min内将TC1温度降低到1410‑1430℃，隔热笼提升到6‑8cm后进入长晶。