[发明专利]一种ZnO/WO3异质结阵列的合成方法

摘要

本发明公开了一种ZnO/WO₃异质结阵列的合成方法，具体步骤为：（1）在FTO基底上生长ZnO晶种；（2）覆盖ZnO晶种的FTO放入装有醋酸锌、聚乙烯亚胺和环六亚甲基四胺的混合水溶液的容器中，油浴加热反应得到生长有ZnO纳米棒阵列的FTO；（3）将生长有ZnO纳米棒阵列的FTO置于装有仲钨酸铵、浓盐酸溶液和双氧水的乙醇‑水混合溶液的水热反应釜中，水热反应制得ZnO/WO₃异质结阵列。本发明的合成方法工艺简单，环境友好，有利于大规模生产。

主权项

1.一种ZnO/WO3异质结阵列的合成方法，其特征在于具体步骤为：（1）将6.585g醋酸锌加入到100mL乙醇中搅拌至溶液澄清，再加入3mL二乙醇胺继续搅拌得到前驱物溶液，将导电玻璃浸泡在前驱物溶液中，取出并自然晾干得到覆盖ZnO晶种的导电玻璃；（2）将步骤（1）得到的覆盖ZnO晶种的导电玻璃置于装有0.5488g醋酸锌、0.0517g聚乙烯亚胺、0.3505g环六亚甲基四胺和100mL去离子水的容器中，于80‑110℃油浴加热1‑10h，自然冷却至室温，取出样品清洗干净后自然晾干，于500℃退火2h得到生长有ZnO纳米棒阵列的导电玻璃；（3）将0.25g仲钨酸铵加入到25mL乙醇‑水混合溶液中，然后加入0.5mL质量浓度为37%的盐酸溶液和0.5mL质量浓度为30%的双氧水，搅拌均匀后倒入水热反应釜中，将步骤（2）得到的生长有ZnO纳米棒阵列的导电玻璃置于上述水热反应釜中，于160℃水热反应1‑4h，自然冷却至室温，取出样品清洗干净后自然晾干，于400℃煅烧2h得到ZnO/WO3异质结阵列。