[发明专利]一种基于光学晶体折射率分布电光调制原理的李萨如装置有效
| 申请号： | 201610810892.0 | 申请日： | 2016-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN106249440B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李立;张斌;田凤军 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及的是一种基于光学晶体折射率分布电光调制原理的李萨如装置。包括激光器、光束准直器、电光调制单元、CCD图像传感器，所述KTN晶体加工成长方体结构，采用镀膜工艺制备金属平板电极，两对平板电极置于晶体侧面；每对平板电极分别连接一个外加调制电压源，每个调制电压源分别进行正余弦调制；入射光束经KTN晶体调制后，出射光束轨迹由CCD图像传感器接收。此装置具有单光束操作、无需折叠光路、无机械振动、空间损耗低、频率动态调制范围大、可进行高精度操控、器件集成度高且稳定性好、多方向调制光束的等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光学 晶体 折射率 分布 电光 调制 原理 李萨如 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基于光学晶体折射率分布电光调制原理的李萨如图形产生方法，包括激光器、光束准直器、电光调制单元、CCD图像传感器，其特征是：将KTN晶体加工成长方体结构，采用镀膜工艺制备金属平板电极，两对平板电极置于晶体侧面；每对平板电极分别连接一个外加调制电压源，每个调制电压源分别进行正余弦调制；入射光束经KTN晶体调制后，出射光束轨迹由CCD图像传感器接收；在KTN晶体侧面所镀平板电极产生一对相互垂直的调制电场。
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