[发明专利]一种嵌入式中空磁性印迹光催化纳米反应器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610753333.0 申请日: 2016-08-26
公开(公告)号: CN106311109A 公开(公告)日: 2017-01-11
发明(设计)人: 逯子扬;王友山;朱志;宋旼珊;赵晓旭;高乃玲;闫永胜;霍鹏伟 申请(专利权)人: 江苏大学
主分类号: B01J19/12 分类号: B01J19/12;C02F1/30;C02F1/32;A62D3/17
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 212013 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种嵌入式中空磁性印迹光催化纳米反应器及其制备方法,按照下述步骤进行:步骤1、ZnFe2O4的制备;步骤2、聚3,4‑乙烯二氧噻吩的制备;步骤3、Ag‑PEDOT的制备;步骤4、嵌入式中空磁性印迹光催化纳米反应器的制备。本发明采用PEDOT为光催化活性物质,并将其当作功能单体嵌入到有机印迹层中,从而使被选择性识别进印迹孔穴的目标物能直接接触到PEDOT,从而使其降解,这避免普通印迹光催化材料光催化活性低的问题,实现了光催化活性和选择性的双重提升。
搜索关键词: 一种 嵌入式 中空 磁性 印迹 光催化 纳米 反应器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种嵌入式中空磁性印迹光催化纳米反应器,其特征在于,所述的嵌入式中空磁性印迹光催化纳米反应器由ZnFe2O4、Ag、PEDOT以及可选择性识别四环素的有机印迹层复合而成;所述有机印迹层包覆在ZnFe2O4的外表面;所述的Ag‑PEDOT是将Ag负载在PEDOT上;所述Ag‑PEDOT嵌入在有机印迹层当中;将0.02g该嵌入式中空磁性印迹光催化纳米反应器用于100mL 20mg/L的四环素溶液的模拟太阳光光催化降解,在120min内降解率达到了71.77%。
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