[发明专利]异质结自旋过滤和负微分电阻效应的制备工艺有效
| 申请号： | 201610732685.8 | 申请日： | 2016-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN106229266B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 韩红培 | 申请（专利权）人： | 许昌学院 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳众邦专利代理有限公司 44545 | 代理人： | 崔亚军 |
| 地址： | 461000 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种基于Co |
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| 搜索关键词： | 异质结 自旋 过滤 微分 电阻 效应 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种异质结自旋过滤和负微分电阻效应的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：第一步：构建全霍伊斯勒L21型Co2MnGe的晶体结构，对其晶格结构进行优化，获得平衡晶格常数aeq；第二步：在平衡晶格常数aeq下，对Co2MnGe的态密度进行计算并加以分析，确定块材的Co2MnGe具有良好的半金属性；第三步：在<111>方向，构建半金属Co2MnGe和半导体GaAs组成的异质结并进行优化，在优化的过程中，为了尽可能的接近实际，允许界面附近左右5层的原子位置弛豫，其他原子位置固定；第四步：对第三步中优化后的异质结左右两端的材料分别重复一个周期，作为异质结的左右电极；第五步：在异质结的左右电极上施加偏压，计算Co2MnGe/GaAs异质结的量子自旋输运性质；第六步：通过对Co2MnGe/GaAs异质结输运性质的分析，获得输运过程中的自旋过滤和负微分电阻效应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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