[发明专利]一种用于激光设备的氮化硅粉体的合成方法有效

专利信息
申请号: 201610710863.7 申请日: 2016-08-23
公开(公告)号: CN106348762B 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 汪思保;林永兴 申请(专利权)人: 安徽科创中光科技有限公司
主分类号: C04B35/591 分类号: C04B35/591;C04B35/626
代理公司: 北京市科名专利代理事务所(特殊普通合伙) 11468 代理人: 陈朝阳
地址: 230088 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种用于激光设备的氮化硅粉体的合成方法,属于特种陶瓷材料技术领域,该方法包括以下步骤:将25~55wt%氮化硅粉、40~70wt%硅粉、5~35wt%聚苯乙烯‑二氧化硅颗粒与溶剂混合,在0.5~10Mpa下压制成球形,在氮气气氛中于1100~1600℃保温4~15h,烧结生成氮化硅,冷却至室温,粉碎,得氮化硅粉料。本发明采用氮化硅粉、硅粉、聚苯乙烯‑二氧化硅颗粒复合压制成球,当二氧化硅‑聚苯乙烯颗粒中的聚苯乙烯被高温除去后形成稳定的孔结构,用作氮气流通的通道,保证反应的充分进行;同时二氧化硅在被氮化成氮化硅的过程中,因为氧的逃逸而二次保持气体通道,从而保证了粉料的充分氮化。
搜索关键词: 一种 用于 激光设备 氮化 硅粉体 合成 方法
【主权项】:
1.一种用于激光设备的氮化硅粉体的合成方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:将25~55wt%氮化硅粉、40~70wt%硅粉、5~35wt%聚苯乙烯‑二氧化硅颗粒与溶剂混合,在0.5~10Mpa下压制成球形,在氮气气氛中于1100~1600℃保温4~15h,烧结生成氮化硅,冷却至室温,粉碎,得氮化硅粉料;所述氮化硅粉包括直径在100μm~1mm的粗料和直径为100μm以下的细料;所述硅粉包括直径在100μm~1mm的粗料和直径为100μm以下的细料;所述聚苯乙烯‑二氧化硅颗粒的粒径为0.5~5mm;所述溶剂由水与乙醇按照体积比1:(0.1~2)混合组成;所述聚苯乙烯‑二氧化硅颗粒采用以下步骤制得:1)将二乙醇胺与甲苯磺酸按1~10:1的重量比混合形成溶液;2)将所得溶液与二氧化硅纳米粉体按1~10:1的重量比混合,混合后转移至高压釜中进行溶剂热反应,通入氮气保护,在110~150℃中加热1~12h,减压除去液体,得到表面改性的纳米二氧化硅;3)将改性纳米二氧化硅与聚苯乙烯按0.1~1:1的重量比混合,加热融化搅拌,冷却后粉碎过30目筛,将筛上的剩余粉料再经过16目筛,经16目筛下的粉料即为所需直径在0.5~5mm的聚苯乙烯‑二氧化硅颗粒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽科创中光科技有限公司,未经安徽科创中光科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610710863.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top