[发明专利]一种用于激光设备的氮化硅粉体的合成方法有效
申请号: | 201610710863.7 | 申请日: | 2016-08-23 |
公开(公告)号: | CN106348762B | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 汪思保;林永兴 | 申请(专利权)人: | 安徽科创中光科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/591 | 分类号: | C04B35/591;C04B35/626 |
代理公司: | 北京市科名专利代理事务所(特殊普通合伙) 11468 | 代理人: | 陈朝阳 |
地址: | 230088 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于激光设备的氮化硅粉体的合成方法,属于特种陶瓷材料技术领域,该方法包括以下步骤:将25~55wt%氮化硅粉、40~70wt%硅粉、5~35wt%聚苯乙烯‑二氧化硅颗粒与溶剂混合,在0.5~10Mpa下压制成球形,在氮气气氛中于1100~1600℃保温4~15h,烧结生成氮化硅,冷却至室温,粉碎,得氮化硅粉料。本发明采用氮化硅粉、硅粉、聚苯乙烯‑二氧化硅颗粒复合压制成球,当二氧化硅‑聚苯乙烯颗粒中的聚苯乙烯被高温除去后形成稳定的孔结构,用作氮气流通的通道,保证反应的充分进行;同时二氧化硅在被氮化成氮化硅的过程中,因为氧的逃逸而二次保持气体通道,从而保证了粉料的充分氮化。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 激光设备 氮化 硅粉体 合成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于激光设备的氮化硅粉体的合成方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:将25~55wt%氮化硅粉、40~70wt%硅粉、5~35wt%聚苯乙烯‑二氧化硅颗粒与溶剂混合,在0.5~10Mpa下压制成球形,在氮气气氛中于1100~1600℃保温4~15h,烧结生成氮化硅,冷却至室温,粉碎,得氮化硅粉料;所述氮化硅粉包括直径在100μm~1mm的粗料和直径为100μm以下的细料;所述硅粉包括直径在100μm~1mm的粗料和直径为100μm以下的细料;所述聚苯乙烯‑二氧化硅颗粒的粒径为0.5~5mm;所述溶剂由水与乙醇按照体积比1:(0.1~2)混合组成;所述聚苯乙烯‑二氧化硅颗粒采用以下步骤制得:1)将二乙醇胺与甲苯磺酸按1~10:1的重量比混合形成溶液;2)将所得溶液与二氧化硅纳米粉体按1~10:1的重量比混合,混合后转移至高压釜中进行溶剂热反应,通入氮气保护,在110~150℃中加热1~12h,减压除去液体,得到表面改性的纳米二氧化硅;3)将改性纳米二氧化硅与聚苯乙烯按0.1~1:1的重量比混合,加热融化搅拌,冷却后粉碎过30目筛,将筛上的剩余粉料再经过16目筛,经16目筛下的粉料即为所需直径在0.5~5mm的聚苯乙烯‑二氧化硅颗粒。
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