[发明专利]一种基于FPGATrueLVDS接口的MIPI接口电路及其运行方法在审

专利信息
申请号: 201610708289.1 申请日: 2016-08-23
公开(公告)号: CN106250342A 公开(公告)日: 2016-12-21
发明(设计)人: 朱璟辉;高彬;葛庆国 申请(专利权)人: 广东高云半导体科技股份有限公司
主分类号: G06F13/40 分类号: G06F13/40
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司37219 代理人: 杨树云
地址: 528303 广东省佛山市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种基于FPGA True LVDS接口的MIPI接口电路及其运行方法,包括FPGA芯片、MIPI接口接收设备,通过电阻R1连接True LVDS接口的HS_O_P高速信号和LVCMOS12接口的LP_O_P低速信号,电阻R1阻值范围50Ω~150Ω;通过电阻R2连接True LVDS接口的HS_O_N高速信号和LVCMOS12接口的LP_O_N低速信号,电阻R2阻值范围50Ω~150Ω。本发明通过True LVDS接口、LVCMOS12接口与外围电阻的优化设计,实现了FPGA与MIPI接口接收设备间发送通路的高效数据传输,信号完整性好,传输速率高,功耗小,电阻数量少。
搜索关键词: 一种 基于 fpgatruelvds 接口 mipi 电路 及其 运行 方法
【主权项】:
一种基于FPGA True LVDS接口的MIPI接口电路,其特征在于,包括FPGA芯片、MIPI接口接收设备,MIPI_O_P差分正极性信号接收信号传送到所述FPGA芯片中的I/O时分为HS_O_P高速信号和LP_O_P低速信号;MIPI_O_N差分正极性信号接收信号传送到所述FPGA芯片中的I/O时分为HS_O_N高速信号和LP_O_N低速信号;通过电阻R1连接True LVDS接口的HS_O_P高速信号和LVCMOS12接口的LP_O_P低速信号,电阻R1阻值范围50Ω~150Ω;通过电阻R2连接True LVDS接口的HS_O_N高速信号和LVCMOS12接口的LP_O_N低速信号,电阻R2阻值范围50Ω~150Ω。
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