[发明专利]一种具有良好兼容性的晶体硅太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有良好兼容性的晶体硅太阳能电池及其制备方法，包括衬底、多晶硅薄膜，衬底与多晶硅薄膜之间设有钝化层，钝化层表面设有氧化硅薄膜，氧化硅薄膜与多晶硅薄膜之间设有上电极；多晶硅薄膜上设有P‑n结，衬底设置在背面AI电极上；所述多晶硅薄膜为N型多晶硅薄膜，多晶硅薄膜的厚度为5—20微米，所述氧化硅薄膜的厚度为2—20nm，折射率为2.1—2.4；所述衬底为透明衬底。

主权项

一种具有良好兼容性的晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括衬底（2）、多晶硅薄膜（6），衬底（2）与多晶硅薄膜（6）之间设有钝化层（3），钝化层（3）表面设有氧化硅薄膜（4），氧化硅薄膜（4）与多晶硅薄膜（6）之间设有上电极（3）；多晶硅薄膜（6）上设有P‑n结，衬底（2）设置在背面AI电极（1）上；所述多晶硅薄膜（6）为N型多晶硅薄膜，多晶硅薄膜（6）的厚度为5—20微米，所述氧化硅薄膜（4）的厚度为2—20nm，折射率为2.1—2.4；所述衬底（2）为透明衬底。