[发明专利]一种降低多晶硅铸锭底部氧含量的方法在审
| 申请号： | 201610696079.5 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106087048A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 虢虎平;刘波波;吴增伟;贺鹏 | 申请（专利权）人： | 西安华晶电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06;B05D1/02;B05D3/02 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710077 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低多晶硅铸锭底部氧含量的方法，包括步骤：一、坩埚底部涂层制备，过程如下：101、涂层喷涂液配制：将有机胶结剂、去离子水和氮化硼按1∶2～2.5∶0.8～1.2的质量比均匀混合，得到涂层喷涂液；102、喷涂：采用喷涂设备将涂层喷涂液均匀喷涂至坩埚的内部底面上；103、烘干：采用烘干设备且对喷涂至坩埚内部底面上的涂层喷涂液进行烘干，获得底部涂层；二、多晶硅铸锭：利用带底部涂层的坩埚进行多晶硅铸锭。本发明方法步骤简单、设计合理且实现简便、使用效果好，通过在坩埚底部涂覆一层以氮化硼为主要原料的底部涂层，能有效降低坩埚底部氧含量，并能有效减少铸锭成品的硬质点，提高铸锭成品的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 多晶 铸锭 底部 含量 方法 | ||
【主权项】：
一种降低多晶硅铸锭底部氧含量的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、坩埚底部涂层制备，过程如下：步骤101、涂层喷涂液配制：将有机胶结剂、去离子水和氮化硼按1∶(2～2.5)∶(0.8～1.2)的质量比均匀混合，得到涂层喷涂液；步骤102、喷涂：采用喷涂设备将步骤101中所述涂层喷涂液均匀喷涂至坩埚(1)的内部底面上，所述坩埚(1)内部底面上1m2区域内喷涂的所述涂层喷涂液中所含氮化硼的质量为100g～200g；所述坩埚(1)为多晶硅铸锭炉用石英坩埚；步骤103、烘干：将步骤102中所述坩埚(1)水平放置于烘干设备内，并采用所述烘干设备且在80℃～100℃温度条件下对喷涂至坩埚(1)内部底面上的所述涂层喷涂液进行烘干，获得底部涂层(2)；步骤二、多晶硅铸锭：采用多晶硅铸锭炉，并利用步骤一中带底部涂层(2)的坩埚(1)进行多晶硅铸锭。
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