[发明专利]一种防漏电的晶体硅太阳能背接触电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种防漏电的晶体硅太阳能背接触电池，一种防漏电的晶体硅太阳能背接触电池，包括衬底、多晶硅薄膜，衬底与多晶硅薄膜之间设有钝化层，钝化层表面设有氧化硅薄膜，氧化硅薄膜与多晶硅薄膜之间设有上电极；上电极与多晶硅薄膜之间设有P型硅基体层，多晶硅薄膜上设有P‑n结，衬底设置在背面AI电极上；硅晶片的上表面从下至上依次设置有第一EVA层、钢化玻璃层，硅晶片的下表面从上至下依次设置有第二EVA层增加了各层材料之间的结合强度、密封性能，可有效防止漏电，漏水，从而增强晶体硅太阳能电池的性能，延长其使用周期。

主权项

一种防漏电的晶体硅太阳能背接触电池，其特征在于，包括硅晶片7，硅晶片（7）包括衬底（2）、多晶硅薄膜（6），衬底（2）与多晶硅薄膜（6）之间设有钝化层（3），钝化层（3）表面设有氧化硅薄膜（4），氧化硅薄膜（4）与多晶硅薄膜（6）之间设有上电极（5）；上电极（5）与多晶硅薄膜（6）之间设有P型硅基体层（8），多晶硅薄膜（6）上设有P‑n结，衬底（2）设置在背面AI电极（1）上；硅晶片（7）的上表面从下至上依次设置有第一EVA层（11）、钢化玻璃层（9），硅晶片（7）的下表面从上至下依次设置有第二EVA层（10），所述钢化玻璃层（9）厚度为2.2mm，所述硅晶片（3）的厚度为0.22mm，第一EVA层（8）的厚度为0.51—0.52mm。