[发明专利]一种钠离子电池正极材料的制备方法有效
申请号: | 201610668782.5 | 申请日: | 2016-08-15 |
公开(公告)号: | CN107768668B | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 许志 | 申请(专利权)人: | 福建新峰二维材料科技有限公司 |
主分类号: | H01M4/583 | 分类号: | H01M4/583;H01M10/0525 |
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地址: | 362000 福建省泉*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种钠离子电池正极材料的制备方法,所述方法包括以下步骤:制备GO的无水乙醇悬浮液;向GO的无水乙醇悬浮液融入碘,制备GO/碘的悬浮液;再对GO/碘的悬浮液进行真空过滤处理,形成碘量子点复合的氧化石墨烯(IQDs@GO)薄膜;然后对IQDs@GO薄膜进行水洗干燥处理;对水洗干燥处理后的IQDs@GO薄膜进行酸处理,化学还原得到不用支撑的碘量子点修饰的还原氧化石墨烯(IQDs@RGO)薄膜;最后对IQDs@RGO薄膜进行水洗烘干处理。本发明制备过程简单,成本低廉,采用本发明制备的钠离子电池表现出优异的电化学性能,具有高的容量、优异的循环稳定性和良好的倍率性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 钠离子 电池 正极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种钠离子电池正极材料的制备方法,其特征在于:所述方法包括以下步骤:制备GO的无水乙醇悬浮液;向GO的无水乙醇悬浮液融入碘,制备GO/碘的悬浮液;对GO/碘的悬浮液进行真空过滤处理,形成碘量子点复合的氧化石墨烯(IQDs@GO)薄膜;对IQDs@GO薄膜进行水洗干燥处理;对水洗干燥处理后的IQDs@GO薄膜进行酸处理,化学还原得到不用支撑的碘量子点修饰的还原氧化石墨烯(IQDs@RGO)薄膜;对IQDs@RGO薄膜进行水洗烘干处理。
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