[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其中，制备有源区的步骤具体包括：在所玻璃基板上制备形成非晶硅薄膜层；在非晶硅薄膜层上设置透光的第一掩膜版，采用准分子激光束从第一掩膜版上照射到非晶硅薄膜层上，形成低温多晶硅薄膜层；第一掩膜版包括依次交替设置的圆弧凹陷部和平坦部，低温多晶硅薄膜层中对应平坦部的位置形成沟道区域；去除第一掩膜版，应用光罩工艺将低温多晶硅薄膜层刻蚀形成图案化的多个有源区；其中，所述平坦部的宽度与薄膜晶体管的栅电极的宽度相等。本发明还公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板，其中，薄膜晶体管的有源区中，沟道区域中的多晶硅晶格的尺寸大于其两侧区域中的多晶硅晶格的尺寸。

主权项

一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制备方法，包括制备图案化的薄膜晶体管有源区的步骤，其特征在于，制备有源区的步骤具体包括：提供一玻璃基板并在所述玻璃基板上制备形成非晶硅薄膜层；在所述非晶硅薄膜层上设置透光的第一掩膜版，采用准分子激光束从所述第一掩膜版上照射到所述非晶硅薄膜层上，使所述非晶硅薄膜层结晶形成低温多晶硅薄膜层；所述第一掩膜版包括依次交替设置的圆弧凹陷部和平坦部，所述低温多晶硅薄膜层中对应所述平坦部的位置形成沟道区域；去除所述第一掩膜版，应用光罩工艺将所述低温多晶硅薄膜层刻蚀形成图案化的多个有源区，每个有源区包括一个所述沟道区域以及分别位于所述沟道区域两侧的源极区域和漏极区域；其中，所述平坦部的宽度与所述薄膜晶体管的栅电极的宽度相等。