[发明专利]二氧化硅均匀分散的超薄型PI膜制备方法在审
申请号: | 201610656466.6 | 申请日: | 2016-08-11 |
公开(公告)号: | CN106188589A | 公开(公告)日: | 2016-12-07 |
发明(设计)人: | 李彦 | 申请(专利权)人: | 苏州柯创电子材料有限公司 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L79/08;C08K9/04;C08K3/36;C08G73/10 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 韩飞 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种二氧化硅均匀分散的超薄型PI膜的制备方法,包括如下步骤:SiO2类流体的制备、SiO2的表面改性、聚酰胺酸的制备和PI膜的制备。本发明通过对SiO2进行类流体技术改性和聚乙二醇改性,通过高速分散与循环砂磨处理将纳米的SiO2平均水学粒径控制在80~150nm;然后合成聚酰胺酸中,通过控制对苯二胺和二苯四羧基双酐的添加顺序,加热温度,制得高分子量的聚酰胺酸;最终将聚酰胺酸和SiO2聚集体混合均匀,流延成膜。本发明的方法得到的含二氧化硅的PI膜,解决了SiO2在有机体较容易发生团聚,提高了与有机体的相容性,提高了PI膜的整体性能,有效的提高了薄膜的热稳定性和力学性能。 | ||
搜索关键词: | 二氧化硅 均匀 分散 超薄型 pi 制备 方法 | ||
【主权项】:
二氧化硅均匀分散的改性PI膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:取溶胶原料并用去离子水稀释至其含量为40~50wt%,超声分散10min~30min,加入10wt%有机溶胶,室温下陈华24h,伴随间歇振荡,过滤得到固体物,将所得固体物用乙醇清洗,70℃下搅拌反应12h,装入透析袋中透析48小时,70℃下真空干燥24h,得到SiO2纳米类流体;S2:将乙二醇加热至90~100℃,然后将聚乙二醇完全溶解在乙二醇中得到溶液A,然后将SiO2纳米类流体溶解在所述溶液A中,采用循环砂磨处理10~30min,砂磨过程中温度控制在50~60℃,使纳米SiO2聚集成平均水力学粒径为80~150nm的聚集体,得到经表面改性的纳米SiO2聚集体;S3:将对苯二胺和二苯四羧基双酐放置于反应釜中,加入溶剂N,N‑二甲基乙酰,在0~5℃反应,反应过程中不断搅拌,转速为100r/min,反应5h,得到聚酰胺酸,粘度达到70000~9000cp;S4:在合成的聚酰胺酸中加入经表面改性的纳米SiO2聚集体充分搅拌,最后脱泡流延成膜即可。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州柯创电子材料有限公司,未经苏州柯创电子材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610656466.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。