[发明专利]一种用于超级电容器的CoNiSe2纳米阵列材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610654761.8 | 申请日： | 2016-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN106098402B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;杨杰 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01G11/30 | 分类号： | H01G11/30;H01G11/26;B82Y30/00;H01G11/86 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 张宇娟;李学红 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于超级电容器的CoNiSe2纳米阵列材料及其制备方法。制备步骤包括：对泡沫镍进行预处理，作为电极的集流体；先在泡沫镍基底上生长前躯体纳米球；然后将前躯体硒化，即可得到CoNiSe2纳米阵列。本发明制备方法操作简单，不需要复杂设备，成本低廉；制备的CoNiSe2呈纳米阵列结构，纳米阵列由CoNiSe2纳米棒和纳米管组成，纳米棒和纳米管的直径为50~100nm，纳米棒和纳米管的表面均为多孔状结构。本发明制得的CoNiSe2纳米阵列材料在1 A g‑1的电流密度下表现出1338F g‑1的高比容量，同时具有良好的倍率性能以及优越的电化学稳定性，是一种优异的超级电容器电极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 超级 电容器 conise sub 纳米 阵列 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于超级电容器的CoNiSe2纳米阵列材料，其特征在于：所述CoNiSe2纳米阵列材料以泡沫镍为基底，呈竖直排列的纳米阵列结构，所述纳米阵列由CoNiSe2纳米棒和纳米管组成，纳米棒和纳米管的直径为50~150nm，纳米棒和纳米管的表面均为多孔状结构。
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